| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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IRF6619TR1 N沟道MOSFET 20V 30A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
IRF6619TR1
标记： 封装：MT |
IR | 1000 | 立即订购 |
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IRF6618TR1 N沟道MOSFET 30V 170A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
IRF6618TR1
标记： 封装：MT |
IR | 1000 | 立即订购 |
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IRF6617TR1 N沟道MOSFET 20V 9.4A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
IRF6617TR1
标记： 封装：MT |
IR | 4400 | 立即订购 |
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IRF6607TR1 N沟道MOSFET 20V 9.4A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关 |
IRF6607TR1
标记： 封装：MT |
IR | 1000 | 立即订购 |
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IRF6150 复合场效应管 -20V -7.9A BGA 低热阻 电池和负载管理应用 |
IRF6150
标记： 封装：BGA |
IR | 4000 | 立即订购 |
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IRF5850TR 复合场效应管 -20V -2.2A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 AA 超低导通电阻 |
IRF5850TR
标记：AA 封装：SOT-163/SOT23-6 |
IR | 67450 | 立即订购 |
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IRF5810TR 复合场效应管 -20V -2.9A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 K6 超低导通电阻 |
IRF5810TR
标记：k6 封装：SOT-163/SOT23-6 |
IR | 0 | 立即订购 |
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IRF5803TR P沟道MOS场效应管 -40V -3.4A 0.112ohm SOT-163 marking/标记 G6 低导通电阻 低栅极电荷 |
IRF5803TR
标记：G6 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
IR | 0 | 立即订购 |
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IRF5800TR P沟道MOS场效应管 -30V -4A 150毫欧 SOT-163 marking/标记 B3X/BC 低导通电阻 |
IRF5800TR
标记：B3X/BC 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
IR | 470 | 立即订购 |
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IPD20N03LG N沟道MOSFET 30v 30A TO-252/D-PAK marking/标记 20N03L 低栅极电荷/高速开关 |
IPD20N03LG
标记：20N03L 封装：TO-252/D-PAK |
INFINEON | 830 | 立即订购 |
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IPD14N03L N沟道MOSFET 30V 30A TO-252/D-PAK marking/标记 14N03L 低导通电阻/最大DC电流能力/IPD03N03LAP |
IPD14N03L
标记：14N03L 封装：TO-252/D-PAK |
INFINEON | 45200 | 立即订购 |
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IPD06N03L N沟道MOSFET 25V 90A TO-252/D-PAK marking/标记 06N03L 高功率/高电流处理能力/极低的RDS |
IPD06N03L
标记：06N03L 封装：TO-252/D-PAK |
INFINEON | 2000 | 立即订购 |
