| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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HB60N30F
标记：WF 封装：SOT-23 |
爱瑞凯 | 0 | 立即订购 | |
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HB60N20W
标记：ZG 封装：SOT-323/SC-70 |
爱瑞凯 | 0 | 立即订购 | |
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FK6K02010L N沟道MOSFET 4.5a 20V Vth=0.85V SOT-363 marking;ta |
FK6K02010L
标记：TA 封装：SOT-363 |
Panasonic | 0 | 立即订购 |
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FK6K02010L N沟道MOSFET 4.5a 20V Vth=0.85V SOT-363 marking;ta |
v
标记：TA 封装：SOT-363 |
Panasonic | 3000 | 立即订购 |
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SSM6N42FE 复合场效应管 20V 800mA/0.8A SOT-563/ES6 marking/标记 NN4 高速开关 |
SSM6N42FE
标记：NN4 封装：SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 4000 | 立即订购 |
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N沟道MOS场效应管 -20V 180mA 1.5ohm SOT-723 marking/标记 K2 高速开关 模拟开关 1.2V驱动 低导通电阻 |
HB18N20FE
标记：K2 封装：SOT-723 |
爱瑞凯 | 479400 | 立即订购 |
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CFB0303-0000 高动态范围，低噪声的GaAs FET 十字架 SO86/SOT-173XVAR |
CFB0303-0000
标记： 封装：十字架 SO86/SOT-173XVAR |
M/A-COM | 0 | 立即订购 |
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CFB0301-000T 高动态范围低噪声的GaAs FET SO86 十字架 |
CFB0301-000T
标记： 封装：SO86/SOT-173XVAR |
M/A-COM | 541 | 立即订购 |
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2SK2845 N沟道场效应管 900V 1A TO252 代码 K2845 增强模式 |
2SK2845
标记：K2845 封装：TO-252 |
TOSHIBA | 4000 | 立即订购 |
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BST80
标记：KM 封装：SOT-89 |
PHILIPS | 850 | 立即订购 | |
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SGM2014AM MESFET-N沟道 12V 8mA-28mA -2.5V SOT-143 marking/标记 DA 高频应用/低噪音/低交叉调制 |
SGM2014AM
标记：DA 封装：SOT-143/M-254 |
SONY | 150 | 立即订购 |
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MGF4714CP MESFET-N沟道 -3V 15mA-60mA -0.1V -- -1.5V GD-22 marking/标记 C 高频应用/低噪音 |
MGF4714CP
标记：C 封装：GD-22 |
MITSUBISHI | 38000 | 立即订购 |
