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2SK3376TT-B N沟道结型场效应管 20v 0.17~0.3mA SOT-523 marking/标记 3B

型号：2SK3376TT-B
标记/丝印/代码/打字：3B
厂家：TOSHIBA
批号：0613NOPB 06NOPB
封装：SOT-523
整包数量：4000
最小起批量：10
技术文档：

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产品描述

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	20v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage	-20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current	0.17~0.3ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage	-0.15~-1v
耗散功率PdPower Dissipation	100mW/0.1W
Description & Applications	•Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type
描述与应用	•场效应晶体管的硅N沟道结型

规格书PDF

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