| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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IPD03N03LAP N沟道MOSFET 25V 90A TO-252/D-PAK marking/标记 09N03LA 低导通电阻/最大DC电流能力/IPD03N03LAP |
IPD03N03LAP
标记：09N03LA 封装：TO-252/D-PAK |
INFINEON | 500 | 立即订购 |
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HUF76129S3ST N沟道MOSFET 30V 5.6A TO-263 marking/标记 76129S 极低的RDS/低栅极电荷 |
HUF76129S3ST
标记：76129S 封装：TO-263 |
INTERSIL | 30 | 立即订购 |
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HUF75307T3ST136 N沟道MOSFET 55V 1.599A TO-252/D-PAK marking/标记 75307 |
HUF75307T3ST136
标记：75307 封装：TO-252/D-PAK |
INTERSIL | 14000 | 立即订购 |
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HUF75307D3ST N沟道MOSFET 55V 1.599A TO-252/D-PAK marking/标记 75307D |
HUF75307D3ST
标记：75307D 封装：TO-252/D-PAK |
INTERSIL | 400 | 立即订购 |
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HTF202T1
标记：C2 封装：SOT-523 |
ON | 6000 | 立即订购 | |
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HN7G03FU-B FET+BJT复合场效应管 20V -15V marking/标记 8B SOT-363 电源管理 驱动、接口电路 |
HN7G03FU-B
标记：8B 封装：SOT-363/US6/SC-88 |
TOSHIBA | 600 | 立即订购 |
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HN7G02FU FET+BJT复合场效应管 20V -50V marking/标记 FT SOT-363 电源管理 逆变器 驱动、接口电路 |
HN7G02FU
标记：FT 封装：SOT-363/US6/SC-88 |
TOSHIBA | 36000 | 立即订购 |
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HN7G01FU FET+BJT复合场效应管 20V -15V marking/标记 7B SOT-363 电源管理 驱动、接口电路 |
HN7G01FU
标记：7B 封装：SOT-363/US6/SC-88 |
TOSHIBA | 790 | 立即订购 |
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HN3G01J-GR FET+BJT复合场效应管 20V 60V marking/标记 ZG SOT-153 高频放大 |
HN3G01J-GR
标记：ZG 封装：SOT-153/SMV/SOT-25 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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HN1L02FU 复合场效应管 20V/-20V 50mA/-50mA SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 K2 高速开关 2.5V驱动 |
HN1L02FU
标记：K2 封装：SOT-363/SC70-6/UF6 |
TOSHIBA | 9270 | 立即订购 |
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HN1K06FU 复合场效应管 20V 100mA/0.1A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 KJ 高速开关 |
HN1K06FU
标记：KJ 封装：SOT-363/SC70-6/UF6 |
TOSHIBA | 2000 | 立即订购 |
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HN1K05FU 复合场效应管 20V 100mA/0.1A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 KK 高速开关 接口电路 |
HN1K05FU
标记：KK 封装：SOT-363/SC70-6/UF6 |
TOSHIBA | 3400 | 立即订购 |
