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IRLML6302 P沟道MOS场效应管 -780mA 0.60ohm SOT-23 marking/标记 1CKU 超低导通电阻 低栅极电荷

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-780mA/-0.78A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.60Ω @-600mA,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.70V
耗散功率PdPower Dissipation540mW/0.54W
Description & ApplicationsUltra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount lAvailable in Tape & Reel Low Gate Charge
描述与应用超低导通电阻 P沟道MOSFET 表面贴装 在磁带和卷轴lAvailable 低栅极电荷
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