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2557件相关商品 当前位置:首页 >现货库存> 场效应管
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其它 MESFET-N沟道 MOSFET-P沟道 复合场效应管 结型(JFET)-N沟道 结型(JFET)-P沟道 MOSFET-N沟道
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HAT1059C P沟道MOS场效应管 -12V -3A 0.071ohm SOT-163 marking/标记 59 电源开关 低导通电阻 HAT1059C
标记:59
封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
HITACHI 1400 立即订购
HAT1053M-EL P沟道MOS场效应管 -20V -5.5A 0.034ohm SOT-163 marking/标记 1053 低导通电阻 低驱动电流 HAT1053M-EL
标记:1053
封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
RENESAS 9000 立即订购
HAT1044M P沟道MOS场效应管 -30V -4.5A 0.005ohm SOT-163 marking/标记 1044 低导通电阻 低驱动电流 HAT1044M
标记:1044
封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
HITACHI 0 立即订购
HAT1043M02 P沟道MOS场效应管 -20V -4.4A 0.055ohm SOT-163 marking/标记 1043 低导通电阻 低驱动电流 HAT1043M02
标记:1043
封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
HITACHI 2800 立即订购
HAT1043M P沟道MOS场效应管 -20V -4.4A 0.055ohm SOT-163 marking/标记 1043 低驱动电流 2.5V驱动 HAT1043M
标记:1043
封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
HITACHI 9800 立即订购
HAF2025-91STL N沟道MOSFET 60V 1.5A TO-252/D-PAK marking/标记 F2025 极低的RDS/负荷开关/电源管理 HAF2025-91STL
标记:F2025
封装:TO-252/D-PAK
RENESAS 3190 立即订购
HAF2011-90STR-E N沟道MOSFET 60V 4A TO-263 marking/标记 HAF2011 负荷开关/电源管理/低栅极电荷 HAF2011-90STR-E
标记:HAF2011
封装:TO-263
RENESAS 1000 立即订购
H7P1002DS90TR P沟道MOS场效应管 -100V -1.5A 0.0085ohm SOT-252 marking/标记 7P1002 H7P1002DS90TR
标记:7P1002
封装:TO-252/DPAK
RENESAS 0 立即订购
H5N2004DSTL N沟道MOSFET 200V 8A TO-252/D-PAK marking/标记 5N2004 低栅极电荷/门源齐纳二极管ESD坚固 H5N2004DSTL
标记:5N2004
封装:TO-252/D-PAK
HITACHI 350 立即订购
H5N0201MFDN
标记:DN
封装:SOT-523
HITACHI 2400 立即订购
H2N7002XIT1 N沟道MOSFET 60V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 025Y 负荷开关/电源管理/低栅极电荷 H2N7002XIT1
标记:025Y
封装:SOT-23/SC-59
HI-SINCERITY 0 立即订购
FDS6990A 复合场效应管 30V 7.5A SO8 marking/标记 FDS6990A 快速开关 FDS6990A
标记:FDS6990A
封装:SO8/SOIC8/SOP8
FAIRCHILD 62 立即订购
总数:2557

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