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IRLML5103TR P沟道MOS场效应管 -760mA 0.60ohm SOT-23 marking/标记 1D/D 快速开关

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-760mA/-0.76A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.60Ω @-600mA,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation540mW/0.54W
Description & ApplicationsHEXFET POWER MOSFET dynamic avalanche rated surface mount straight lead available in tape&reel p-channel fast switching
描述与应用HEXFET功率MOSFET 动态额定雪崩 表面贴装 直导致 可在磁带和卷轴 p-沟道 快速切换
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