| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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HN1K02FU 复合场效应管 20V 50mA SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 KI 超高速开关 2.5V驱动 |
HN1K02FU
标记：KI 封装：SOT-363/SC70-6/UF6 |
TOSHIBA | 37000 | 立即订购 |
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HN1J02FU 复合场效应管 -20V -50mA SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 KS 超高速开关 |
HN1J02FU
标记：KS 封装：SOT-363/SC70-6/UF6 |
TOSHIBA | 400 | 立即订购 |
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HAT2206C-EL-E N 沟道场效应管 12V 2A SOT363 代码 VW 低导通电阻 驱动电流低 |
HAT2206C-EL-E
标记：VW 封装：SOT-363 |
RENESAS | 3000 | 立即订购 |
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HAT2160H n沟道场效应管 20V 60A LFPAK 低驱动电流 低导通电阻 |
HAT2160H
标记： 封装：LFPAK |
RENESAS | 20 | 立即订购 |
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HAT2096H N沟道大功率场效应管 30V 40A LFPAK 代码 2096 |
HAT2096H
标记：2096 封装：LFPAK |
NEC | 160 | 立即订购 |
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HAT2054M N沟道MOSFET 30V 6.3A SOT-163/TSOP-6 marking/标记 2054 极低的RDS/低栅极电荷 |
HAT2054M
标记：2054 封装：SOT-163/TSOP-6 |
HITACHI | 6200 | 立即订购 |
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HAT2053M-EL N沟道场效应管 20V 6.1A SOT163 代码 2053 低导通电阻 低驱动电流 |
HAT2053M-EL
标记：2053 封装：SOT-163 |
RENESAS | 8800 | 立即订购 |
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HAT1111C P沟道MOS场效应管 -60V -2A 0.245ohm SOT-363 marking/标记 UA 低驱动电流 1.8V驱动 |
HAT1111C
标记：UA 封装：SOT-363/SC70-6/CMFPAK - 6) |
RENESAS | 50 | 立即订购 |
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HAT1093C P沟道MOS场效应管 -12V -3A 0.041ohm SOT-363 marking/标记 VM 低驱动电流 1.8V驱动 |
HAT1093C
标记：VM 封装：SOT-363/SC70-6/CMFPAK - 6) |
RENESAS | 1900 | 立即订购 |
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HAT1089C P沟道MOS场效应管 -20V -2A 0.079ohm SOT-363 marking/标记 VK 低驱动电流 2.5V驱动 |
HAT1089C
标记：VK 封装：SOT-363/SC70-6/CMFPAK - 6) |
RENESAS | 10500 | 立即订购 |
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HAT1069C-EL-E P沟道MOS场效应管 -12V -4A 0.038ohm SOT-363 marking/标记 VY 高速开关 1.8V驱动 |
HAT1069C-EL-E
标记：VY 封装：SOT-363/SC70-6/CMFPAK - 6) |
RENESAS | 17949 | 立即订购 |
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HAT1063M P沟道MOS场效应管 SOT-163 marking/标记 1063 高频双极场效应管 小型包装 |
HAT1063M
标记：1063 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
HITACHI | 1200 | 立即订购 |
