| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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HUF75307T3ST136 N沟道MOSFET 55V 1.599A TO-252/D-PAK marking/标记 75307 |
HUF75307T3ST136
标记：75307 封装：TO-252/D-PAK |
INTERSIL | 14000 | 立即订购 |
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HUF75307D3ST N沟道MOSFET 55V 1.599A TO-252/D-PAK marking/标记 75307D |
HUF75307D3ST
标记：75307D 封装：TO-252/D-PAK |
INTERSIL | 400 | 立即订购 |
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HAT2206C-EL-E N 沟道场效应管 12V 2A SOT363 代码 VW 低导通电阻 驱动电流低 |
HAT2206C-EL-E
标记：VW 封装：SOT-363 |
RENESAS | 3000 | 立即订购 |
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HAT2160H n沟道场效应管 20V 60A LFPAK 低驱动电流 低导通电阻 |
HAT2160H
标记： 封装：LFPAK |
RENESAS | 20 | 立即订购 |
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HAT2096H N沟道大功率场效应管 30V 40A LFPAK 代码 2096 |
HAT2096H
标记：2096 封装：LFPAK |
NEC | 160 | 立即订购 |
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HAT2054M N沟道MOSFET 30V 6.3A SOT-163/TSOP-6 marking/标记 2054 极低的RDS/低栅极电荷 |
HAT2054M
标记：2054 封装：SOT-163/TSOP-6 |
HITACHI | 6200 | 立即订购 |
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HAT2053M-EL N沟道场效应管 20V 6.1A SOT163 代码 2053 低导通电阻 低驱动电流 |
HAT2053M-EL
标记：2053 封装：SOT-163 |
RENESAS | 8800 | 立即订购 |
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HAF2025-91STL N沟道MOSFET 60V 1.5A TO-252/D-PAK marking/标记 F2025 极低的RDS/负荷开关/电源管理 |
HAF2025-91STL
标记：F2025 封装：TO-252/D-PAK |
RENESAS | 2190 | 立即订购 |
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HAF2011-90STR-E N沟道MOSFET 60V 4A TO-263 marking/标记 HAF2011 负荷开关/电源管理/低栅极电荷 |
HAF2011-90STR-E
标记：HAF2011 封装：TO-263 |
RENESAS | 1000 | 立即订购 |
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H5N2004DSTL N沟道MOSFET 200V 8A TO-252/D-PAK marking/标记 5N2004 低栅极电荷/门源齐纳二极管ESD坚固 |
H5N2004DSTL
标记：5N2004 封装：TO-252/D-PAK |
HITACHI | 350 | 立即订购 |
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H5N0201MFDN
标记：DN 封装：SOT-523 |
HITACHI | 2400 | 立即订购 | |
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H2N7002XIT1 N沟道MOSFET 60V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 025Y 负荷开关/电源管理/低栅极电荷 |
H2N7002XIT1
标记：025Y 封装：SOT-23/SC-59 |
HI-SINCERITY | 0 | 立即订购 |
