HAT2160H n沟道场效应管 20V 60A LFPAK 低驱动电流 低导通电阻
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
60A |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State |
ID = 30 A, VGS = 10 V RDS=2.1~2.6mΩ
ID = 30 A, VGS = 4.5 V RDS=2.8~4.1mΩ
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| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd Power dissipation |
30W |
| 描述与应用 Description & Applications |
硅N通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管
电源转换装置
4.5 V驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
RDS(on)= 2.1 mΩtyp。(Vgs = 10 V)
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| 规格书PDF |
