| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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IRF6678TR1 N沟道MOSFET 2.7A MT marking/标记 低栅极电荷/极低的RDS/高功率和电流绫能力 |
IRF6678TR1
标记： 封装：MT |
IR | 1000 | 立即订购 |
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IRF6637 N沟道MOSFET 30V 1.4A MP marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
IRF6637
标记： 封装：MP |
IR | 2900 | 立即订购 |
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IRF6620TR1 N沟道MOSFET 20V 150A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
IRF6620TR1
标记： 封装：MT |
IR | 2900 | 立即订购 |
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IRF6619TR1 N沟道MOSFET 20V 30A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
IRF6619TR1
标记： 封装：MT |
IR | 1000 | 立即订购 |
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IRF6618TR1 N沟道MOSFET 30V 170A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
IRF6618TR1
标记： 封装：MT |
IR | 1000 | 立即订购 |
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IRF6617TR1 N沟道MOSFET 20V 9.4A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
IRF6617TR1
标记： 封装：MT |
IR | 4400 | 立即订购 |
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IRF6607TR1 N沟道MOSFET 20V 9.4A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关 |
IRF6607TR1
标记： 封装：MT |
IR | 1000 | 立即订购 |
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IPD20N03LG N沟道MOSFET 30v 30A TO-252/D-PAK marking/标记 20N03L 低栅极电荷/高速开关 |
IPD20N03LG
标记：20N03L 封装：TO-252/D-PAK |
INFINEON | 830 | 立即订购 |
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IPD14N03L N沟道MOSFET 30V 30A TO-252/D-PAK marking/标记 14N03L 低导通电阻/最大DC电流能力/IPD03N03LAP |
IPD14N03L
标记：14N03L 封装：TO-252/D-PAK |
INFINEON | 45200 | 立即订购 |
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IPD06N03L N沟道MOSFET 25V 90A TO-252/D-PAK marking/标记 06N03L 高功率/高电流处理能力/极低的RDS |
IPD06N03L
标记：06N03L 封装：TO-252/D-PAK |
INFINEON | 2000 | 立即订购 |
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IPD03N03LAP N沟道MOSFET 25V 90A TO-252/D-PAK marking/标记 09N03LA 低导通电阻/最大DC电流能力/IPD03N03LAP |
IPD03N03LAP
标记：09N03LA 封装：TO-252/D-PAK |
INFINEON | 500 | 立即订购 |
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HUF76129S3ST N沟道MOSFET 30V 5.6A TO-263 marking/标记 76129S 极低的RDS/低栅极电荷 |
HUF76129S3ST
标记：76129S 封装：TO-263 |
INTERSIL | 30 | 立即订购 |
