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HAF2011-90STR-E N沟道MOSFET 60V 4A TO-263 marking/标记 HAF2011 负荷开关/电源管理/低栅极电荷

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage16V
最大漏极电流Id Drain Current4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.02Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.25mW
耗散功率Pd Power Dissipation50W
Description & Applications•Logic level operation (4 to 6 V Gate drive) •High endurance capability against to the short circuit •Built-in the over temperature shut-down circuit •Latch type shut-down operation (Need 0 voltage recovery)
描述与应用•逻辑电平操作(4至6 V栅极驱动器) •高续航能力,对短路 •内置过温关断电路 •闭锁类型关机操作(需要0电压恢复)
规格书PDF
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