| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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G2306 N沟道MOSFET 20V 5.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 2306 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
G2306
标记：2306 封装：SOT-23/SC-59 |
GTM | 0 | 立即订购 |
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FS70VS-06-T11 N沟道MOSFET 60V 7A TO-263 marking/标记 FS70VS06 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FS70VS-06-T11
标记：FS70VS06 封装：TO-263 |
FUJI | 50 | 立即订购 |
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FS30AS-06-T13 N沟道MOSFET 60V 3A TO-252/D-PAK marking/标记 FS30 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FS30AS-06-T13
标记：FS30 封装：TO-252/D-PAK |
FUJI | 0 | 立即订购 |
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FQD19N10TM N沟道MOSFET 10V 15.6A TO-252/D-PAK marking/标记 FQD19N10 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FQD19N10TM
标记：FQD19N10 封装：TO-252/D-PAK |
FAIRCHILD | 100 | 立即订购 |
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FQD13N06LTM N沟道MOSFET 60V 11mA TO-252/D-PAK marking/标记 13N06L 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FQD13N06LTM
标记：13N06L 封装：TO-252/D-PAK |
FAIRCHILD | 400 | 立即订购 |
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FQD10N20LTF N沟道MOSFET 200V 7.6A TO-252/D-PAK marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FQD10N20LTF
标记： 封装：TO-252/D-PAK |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
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FKV660S N沟道MOSFET 6A TO-263 marking/标记 FKV660S 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FKV660S
标记：FKV660S 封装：TO-263 |
SANKEN | 500 | 立即订购 |
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FJZ594JTF N沟道MOSFET 1A SOT-323/SC-70 marking/标记 JT 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FJZ594JTF
标记：JT 封装：SOT-323/SC-70 |
FAIRCHILD | 400 | 立即订购 |
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FJZ594JBTF N沟道MOSFET 1A SOT-323/SC-70 marking/标记 J1B 电池保护/低栅极电荷/高速开关 |
FJZ594JBTF
标记：J1B 封装：SOT-323/SC-70 |
FAIRCHILD | 23499 | 立即订购 |
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FJX597JHTF N沟道MOSFET 1A SOT-323/SC-70 marking/标记 SCH 电池保护/低栅极电荷/高速开关 |
FJX597JHTF
标记：SCH 封装：SOT-323/SC-70 |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
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FJX597JCTF N沟道MOSFET 1A SOT-323/SC-70 marking/标记 SCC 电池保护/低栅极电荷/高速开关 |
FJX597JCTF
标记：SCC 封装：SOT-323/SC-70 |
FAIRCHILD | 27260 | 立即订购 |
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FDZ298N N沟道MOSFET 20V 6A BGA marking/标记 低漏源导通电阻 |
FDZ298N
标记： 封装：BGA |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
