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FJZ594JBTF N沟道MOSFET 1A SOT-323/SC-70 marking/标记 J1B 电池保护/低栅极电荷/高速开关

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20v
最大漏极电流Id Drain Current1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsSi N-channel Junction FET • Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones • Excellent Voltage Characteristic • Excellent Transient Characteristic
描述与应用N沟道结型场效应管 特别适合用于音频,电话电容话筒 •优秀的电压特性 •出色的瞬态特性
规格书PDF
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