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其它 MESFET-N沟道 MOSFET-P沟道 复合场效应管 结型(JFET)-N沟道 结型(JFET)-P沟道 MOSFET-N沟道
商品图片 商品描述 型号 厂牌 库存数量 操作
FDC653N N沟道MOSFET 30V 5A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 653K 低导通电阻/超高速开关/2.5V驱动器 FDC653N
标记:653K
封装:SOT-163/SOT23-6
FAIRCHILD 237350 立即订购
FDC637AN N沟道MOSFET 20V 6.2A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 637 无二次击穿/高速开关/高输入阻抗 FDC637AN
标记:637
封装:SOT-163/SOT23-6
FAIRCHILD 2793 立即订购
FDC633N N沟道MOSFET 30V 5.2A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 633 无二次击穿/高速开关/高输入阻抗 FDC633N
标记:633
封装:SOT-163/SOT23-6
FAIRCHILD 3500 立即订购
FDC5612 N沟道MOSFET 60V 4.3A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 562 无二次击穿/高速开关/高输入阻抗 FDC5612
标记:562
封装:SOT-163/SOT23-6
FAIRCHILD 0 立即订购
FDC2512 N沟道MOSFET 150V 1.4A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 512 无二次击穿/高速开关/高输入阻抗 FDC2512
标记:512
封装:SOT-163/SOT23-6
FAIRCHILD 0 立即订购
F5042-S-TB16R N沟道MOSFET TO-252/D-PAK marking/标记 F5042 低导通电阻/超高速开关/4V驱动器 F5042-S-TB16R
标记:F5042
封装:TO-252/D-PAK
FUJI 4000 立即订购
F5019-S-TE24R N沟道MOSFET TO-263 marking/标记 F5019 低导通电阻/高速开关/4V驱动器 F5019-S-TE24R
标记:F5019
封装:TO-263
FUJI 1050 立即订购
F5018-S-TB16R N沟道MOSFET TO-252/D-PAK marking/标记 F5018 低导通电阻/高速开关 F5018-S-TB16R
标记:F5018
封装:TO-252/D-PAK
FUJI 4600 立即订购
DMN601K-7 N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 K7K 高密度电池设计低RDS/高饱和电流能力 DMN601K-7
标记:K7K
封装:SOT-23/SC-59
DIODES 9510 立即订购
CPH6429-TL-E N沟道MOSFET 50V 2A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 ZF 高密度电池设计极低的RDS(ON) CPH6429-TL-E
标记:ZF
封装:SOT-163/SOT23-6/CPH6
SANYO 4100 立即订购
CPH6402 N沟道MOSFET 30V 4A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 KB 过载保护/保护电路/低工作输入电流/允许直接驱动 CPH6402
标记:KB
封装:SOT-163/SOT23-6/CPH6
SANYO 4700 立即订购
CPH6401 N沟道MOSFET 20V 4A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 KA 过载保护/保护电路/低工作输入电流/允许直接驱动 CPH6401
标记:ka
封装:SOT-163/SOT23-6/CPH6
SANYO 16700 立即订购
总数:1108

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