IPD20N03LG N沟道MOSFET 30v 30A TO-252/D-PAK marking/标记 20N03L 低栅极电荷/高速开关
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30v |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 30A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.02Ω/Ohm @15A,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.2-2V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 6W |
| Description & Applications | N-Channel Logic Level Low on-resistance RDS(on) Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175°C operating temperature dv/dt rated Ideal for fast switching buck converter |
| 描述与应用 | 逻辑电平 低导通电阻RDS（ON） 优秀的门占用×RDS上） 产品（FOM） 卓越的热电阻 175°C工作温度 dv / dt的额定 非常适于快速开关降压转换器？ |
| 规格书PDF |
