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其它 MESFET-N沟道 MOSFET-P沟道 复合场效应管 结型(JFET)-N沟道 结型(JFET)-P沟道 MOSFET-N沟道
商品图片 商品描述 型号 厂牌 库存数量 操作
TJ15P04M3 增强型场效电晶体硅p沟道 -40V -15A TO252 代码 TJ15P04M3 TJ15P04M3
标记:TJ15P04M3
封装:TO-252
TOSHIBA 12000 立即订购
2SK3342 P沟道场效应管 250V 4.5A TO252 代码 K3342 增强型 开关稳压器和DC-DC转换 低漏源导通电阻 2SK3342
标记:K3342
封装:TO-252
TOSHIBA 12000 立即订购
2SK2493 N沟道场效应管 16V 5A TO252 代码 K2493 2.5-V栅极驱动 低漏源导通电阻 斩波稳压器和DC-DC转换 2SK2493
标记:K2493
封装:TO-252
TOSHIBA 2000 立即订购
2SJ567 P沟道场效应管 -200V -2.5A TO252 代码 J567 低漏源导通电阻 2SJ567
标记:J567
封装:TO-252
TOSHIBA 28000 立即订购
2SK3373 N沟道场效应管 500V 2A TO252 代码 K3373 增强型 开关稳压器和DC-DC转换 低漏源导通电阻 2SK3373
标记:K3373
封装:TO-252
TOSHIBA 94000 立即订购
GT8G121 N沟道场效应管 400v 8A TO252 代码 8G121 GT8G121
标记:8G121
封装:TO-252
TOSHIBA 2000 立即订购
TPCP8F01 PNP三极管+N沟道场效应管 PS-8 代码 8F01 TPCP8F01
标记:8F01
封装:PS-8
TOSHIBA 39000 立即订购
TPCP8G01 PNP三极管+P沟道场效应管 PS-8 代码 8G01 大电流 TPCP8G01
标记:8G01
封装:PS-8
TOSHIBA 3000 立即订购
2SJ668 P沟道MOS场效应管Vds= -60V Id=-5A Rds=0.16~0.25ohm SOT-252 marking/标记 J668 2SJ668
标记:J668
封装:SOT-252
TOSHIBA 0 立即订购
MMBFJ113 N沟道结型 35V 2MA SOT23 代码 GS 模拟开关 MMBFJ113
标记:GS
封装:SOT-23
FAIRCHILD 650 立即订购
TPCF8105 P沟道场效应管 -20V -6A SOT23-8 代码 F3E 增强型 低漏电流 低漏源电阻 TPCF8105
标记:F3E
封装:1206-8/vs-8/SOT23-8
TOSHIBA 0 立即订购
结型N沟道复合场效应管 2SK2145-GR 50V 2.6mA~6.5mA SOT-153/SOT23-5/SOT-25/SMV 标记XG 2SK2145-GR
标记:XG
封装:SOT-153/SOT23-5/SOT-25/SMV
TOSHIBA 0 立即订购
总数:2520

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