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其它 MESFET-N沟道 MOSFET-P沟道 复合场效应管 结型(JFET)-N沟道 结型(JFET)-P沟道 MOSFET-N沟道
商品图片 商品描述 型号 厂牌 库存数量 操作
XP152A01D8MR P沟道场效应管 -20V -0.5A SOT23 代码 201 超高速开关 低通态电阻 XP152A01D8MR
标记:201
封装:SOT-23/SC-59
TOREX 600 立即订购
SSM3K44MFV N沟道场效应管 30V 0.1A VESM 代码 NT 高速开关 模拟开关 低导通电阻 SSM3K44MFV
标记:NT
封装:SOT-723/VESM
TOSHIBA 8000 立即订购
HB40P20T
标记:
封装:SOT-323
爱瑞凯 20000 立即订购
HB60P20F P沟道场效应管 -21V -6.1A SOT23 1.5 - v驱动 低导通电阻 HB60P20F
标记:
封装:SOT-23
爱瑞凯 20000 立即订购
SI5515CDC 复合场效应管 N沟道+P沟道 SOT23-8 代码 EHU SI5515CDC
标记:EHU
封装:1206-8/vs-8/SOT23-8
VISHAY 3000 立即订购
SSM3K7002BFU N沟道场效应管 60V 0.2A SOT323 代码 NM 高速开关 模拟开关 低导通电阻 SSM3K7002BFU
标记:NM
封装:SOT-323/USM
TOSHIBA 282000 立即订购
SI3460DV N沟道场效应管 20V 6.8A SOT163 代码 60 SI3460DV
标记:60
封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
VISHAY 5000 立即订购
2SK3669 N沟道场效应管 100V 10A TO252 代码 K3669 增强模式 开关稳压器,音频放大器 2SK3669
标记:K3669
封装:TO-252/D-PAK
TOSHIBA 12000 立即订购
SIA411DJ P沟道场效应管 -20V -12A 代码 BEW 负载开关,PA开关 SIA411DJ
标记:BEW
封装:SC70-6L(QFN)
VISHAY 0 立即订购
SY2303BDS-T1-E3
标记:L3
封装:SOT-23/SC-59
VISHAY 16003 立即订购
IPD09N03LAG N沟道场效应管 25V 50A TO252 代码 09N03A IPD09N03LAG
标记:09N03A
封装:TO-252/D-PAK
INFINEON 948 立即订购
SSM6J214FE P 沟道场效应管 -20V -3.6A SOT563 代码 PT SSM6J214FE
标记:PT
封装:SOT-563
TOSHIBA 16000 立即订购
总数:2549

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