DMP2066LSN-7 p沟道增强型MOSFET 20V 4.6A SOT-23/SC-59 标记 PS4
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
20V | |||||||
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
12V | |||||||
| 最大漏极电流Id Drain Current |
4.6A | |||||||
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State |
• 40 mΩ @VGS = -4.5V
• 70 mΩ @VGS = -2.5V
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| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
1.2V | |||||||
| 耗散功率Pd Power dissipation |
1.25W | |||||||
| 描述与应用 Description & Applications |
•低RDS（ON）： | •40mΩ的@VGS=-4.5V | •70mΩ的@VGS=-2.5V | •低输入/输出泄漏 | •铅的设计免费/ RoHS规定（注3） | •符合AEC-Q101标准的高可靠性 | •“绿色”设备（注4） |
| 规格书PDF |
