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其它 MESFET-N沟道 MOSFET-P沟道 复合场效应管 结型(JFET)-N沟道 结型(JFET)-P沟道 MOSFET-N沟道
商品图片 商品描述 型号 厂牌 库存数量 操作
SSM3J314T p沟道场效应管 -30v -3.5A SOT23 代码 KDU 高速开关 4.0 v驱动 SSM3J314T
标记:KDU
封装:SOT-23
TOSHIBA 0 立即订购
SSM3J129TU P沟道MOS场效应管 -20V -4.6A 0.037ohm SOT-323 marking/标记 JJE 电源管理开关 高速开关 1.5V驱动 低导通电阻 SSM3J129TU
标记:JJE
封装:SOT-323/SC70/UFM
TOSHIBA 72000 立即订购
SSM6J212FE P沟道MOS场效应管 -20V -4A 0.0353ohm SOT-563 marking/标记 PQ 电源管理开关 1.5V驱动 低导通电阻 SSM6J212FE
标记:PQ
封装:SOT-563/ES6
TOSHIBA 0 立即订购
TPCF8302 复合场效应管 -20V -3A 1206-8/vs-8 marking/标记 F5B 低漏源导通电阻 TPCF8302
标记:F5B
封装:1206-8/vs-8/SOT23-8
TOSHIBA 232000 立即订购
DMP3030SN-7 P沟道增强型场效应管 30V 0.7A SOT23 代码 PS2 低导通电阻 低栅极阈值电压 低输入电容 开关速度快。 DMP3030SN-7
标记:PS2
封装:SOT-23
DIODES 3200 立即订购
SI2305ADS-T1-GE3 P沟道MOS场效应管 -8V -5.4A 0.032ohm SOT-23 marking/标记 5AA SI2305ADS-T1-GE3
标记:5AA
封装:SOT-23/SC-59
VISHAY 0 立即订购
2N7002W N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-323/SC-70 marking/标记 72W 低导通电阻/低栅极阈值电压/低输入电容/高速开关 2N7002W
标记:12N
封装:SOT-323/SC-70
FAIRCHILD 202605 立即订购
SI8424DB-T1-E1 N沟道MOSFET 8V 12.2A 2X2 4-MFP marking/标记 8424 低导通电阻/低电压驱动 SI8424DB-T1-E1
标记:8424
封装:2X2 4-MFP
VISHAY 2303 立即订购
结型N沟道复合场效应管 2SK2145-BL 50V 6mA~14mA SOT-153/SOT23-5/SOT-25/SMV 标记XL 2SK2145-BL
标记:XL
封装:SOT-153/SOT23-5/SOT-25/SMV
TOSHIBA 0 立即订购
SSM3J328R P沟道MOS场效应管 -20V -6A 0.0249ohm SOT-23 marking/标记 KFH 电源管理开关 1.5V驱动 低导通电阻 SSM3J328R
标记:KFH
封装:SOT-23/SC-59
TOSHIBA 72000 立即订购
SSM3K7002BS N沟道MOSFET 60V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 NM 高输入阻抗/高速开关 SSM3K7002BS
标记:NM
封装:SOT-23/SC-59
TOSHIBA 225000 立即订购
SSM3J56MFV P沟道MOS场效应管 -20V -0.8A 0.310ohm SOT-923 marking/标记 PW 负载开关 1.2V驱动 低导通电阻 SSM3J56MFV
标记:PW
封装:SOT-723/VESM
TOSHIBA 0 立即订购
总数:2520

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