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DMN3033LDM-7N 沟道增强型MOSFET 30V 6.9A SOT-163/SM6/SOT-26 标记 NA5

型号：DMN3033LDM-7
标记/丝印/代码/打字：NA5
厂家：DIODES
批号：12+ROHS 12+ROHS
封装：SOT-163/SM6/SOT-26
整包数量：3000
最小起批量：1
技术文档：

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产品描述

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	30V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage	20V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current	6.9A
开启电压Vgs(th) Gate Threshold Voltage	2.1v
耗散功率Pd Power dissipation	2W
描述与应用 Description & Applications	•低栅极电荷 •低RDS（ON）： •33mΩ的@VGS=10V •40mΩ的@VGS=4.5V •低输入/输出泄漏 •铅的设计免费/ RoHS规定（注3） •符合AEC-Q101标准的高可靠性 •“绿色”设备（注4）

规格书PDF

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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