DMN3033LDM-7N 沟道增强型MOSFET 30V 6.9A SOT-163/SM6/SOT-26 标记 NA5
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
30V |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage |
20V |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current |
6.9A |
| 开启电压Vgs(th) Gate Threshold Voltage | 2.1v |
| 耗散功率Pd Power dissipation |
2W |
| 描述与应用 Description & Applications |
•低栅极电荷 •低RDS（ON）： •33mΩ的@VGS=10V •40mΩ的@VGS=4.5V •低输入/输出泄漏 •铅的设计免费/ RoHS规定（注3） •符合AEC-Q101标准的高可靠性 •“绿色”设备（注4） |
| 规格书PDF |
