| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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SSM3J327F P沟道MOS场效应管 -20V -3.5A 0.0805ohm SOT-23 marking/标记 KFG 电源管理开关 1.8V驱动 低导通电阻 |
SSM3J327F
标记：KFG 封装：SOT-23/SC-59 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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SSM6N15FE 复合场效应管 30V 100mA/0.1A SOT-563/ES6 marking/标记 DP 高速开关 |
SSM6N15FE
标记：DP 封装：SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 439000 | 立即订购 |
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SSM3K44FS P沟道MOS场效应管 -30V 100mA/0.1A 2.2ohm SOT-523 marking/标记 NT 高速开关 模拟开关 低导通电阻 |
SSM3K44FS
标记：NT 封装：SOT-523/SSM |
TOSHIBA | 60000 | 立即订购 |
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SSM3K35MFV P沟道MOS场效应管 -20V 180mA 1.5ohm SOT-723 marking/标记 K2 高速开关 模拟开关 1.2V驱动 低导通电阻 |
SSM3K35MFV
标记：K2 封装：SOT-723/VESM |
TOSHIBA | 385170 | 立即订购 |
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SSM6N24TU 复合场效应管 30V 500mA/0.5A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 NF 高速开关 |
SSM6N24TU
标记：NF 封装：SOT-363/SC70-6/UF6 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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SSM6N25TU 复合场效应管 20V 500mA/0.5A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 NH 高速开关 |
SSM6N25TU
标记：NH 封装：SOT-363/SC70-6/UF6 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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SSM6K411TU N沟道MOSFET 20V 10A SOT-563/UF6 marking/标记 KNH 低导通电阻/高速开关/低门槛/低栅极驱动器 |
SSM6K411TU
标记：KNH 封装：SOT-363/UF6 |
TOSHIBA | 131300 | 立即订购 |
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2SK0664/2SK664 MOSFET N沟道场效应管 Vds= 50v Id=100MA/0.1A 代码/MARKING 3N |
2SK0664GOL
标记：3N 封装：SOT-323 |
Panasonic | 0 | 立即订购 |
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2SK2855 N沟道场效应管 10V 1A SOT89 代码 UT 超高频带放大器 |
2SK2855
标记：UT 封装：SOT-89 |
NEC | 0 | 立即订购 |
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2SK3320-Y N沟道结型场效应管 50v 1.2~3mA SOT-353 marking/标记 XY 低噪声 radio 放大器 |
2SK3320-Y
标记：XY 封装：SOT-353/SC-88A/USV |
TOSHIBA | 18000 | 立即订购 |
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2SK1771 N沟道MOSFET 12.5V 30mA SOT-143/SOT-24/SC-61 marking/标记 UB 高级互调性能/高频射频放大器 |
2SK1771
标记：UB 封装：SOT-143/SOT-24/SC-61 |
TOSHIBA | 19400 | 立即订购 |
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2SK3582CT-B N沟道结型场效应管 20v 0.08~0.3mA CST3 marking/标记 97 |
2SK3582CT-B
标记：97 封装：CST3 |
TOSHIBA | 10000 | 立即订购 |
