| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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2N7002KDW 复合场效应管 60 115mA/0.115A SOT-363/SC70-6 marking/标记 K27 电池供电系统应用 |
2N7002KDW
标记：K27 封装：SOT-363/SC70-6 |
PANJIT | 3000 | 立即订购 |
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DMN601TK N 沟道增强型场效应管 60V 0.3A SOT523 代码 7K 低输入/输出漏 |
DMN601TK
标记：7K 封装：SOT-523 |
DIODES | 1200 | 立即订购 |
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DMN2400UV-7 双N沟道增强型MOSFET 20V 1.33A SOT363 代码 24N |
DMN2400UV-7
标记：24N 封装：SOT-563 |
DIODES | 0 | 立即订购 |
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RW1E014SN N 沟道场效应管 30V 1.4A SOT563 代码 PN 低导通电阻、高开关速度 |
RW1E014SN
标记：PN 封装：SOT-563 |
ROHM | 6500 | 立即订购 |
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SI5403DC P 沟道场效应管 -30V -6A 1206-8 代码 BQL |
SI5403DC
标记：BQL 封装：1206-8 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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SSM3K17SU N沟道MOSFET SOT-323/USM/SC-70 marking/标记 DM |
SSM3K17SU
标记：DM 封装：SOT-323/USM/SC-70 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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SSM6J503NU P沟道MOS场效应管 -20V -600mA 0.0277ohm Vth:-0.8--1.0V UDFN6B marking/标记 SP3 电源管理开关 1.5V驱动 低导通电阻 |
SSM6J503NU
标记：SP3 封装：UDFN6B |
TOSHIBA | 240000 | 立即订购 |
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SSM3K15AFS N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-523/SSM marking/标记 DI |
SSM3K15AFS
标记：DI 封装：SOT-523/SSM |
TOSHIBA | 445985 | 立即订购 |
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ME2302 N沟道MOSFET 20V 2.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 I19RY1 超低导通电阻 |
ME2302
标记：I19RY1 封装：SOT-23/SC-59 |
Matsuki | 12000 | 立即订购 |
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SIB911DK-T1-GE3 复合场效应管 -20V -2.6A SC75-6L marking/标记 DAW 负载开关 功率MOSFET |
SIB911DK-T1-GE3
标记：DAW 封装：SC75-6L |
VISHAY | 57000 | 立即订购 |
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SI8413DB-T1-E1 P沟道MOS场效应管 -20V -6.5A 0.0393ohm Vth:-0.6V-1.4V 2X2 4-MFP marking/标记 8413 |
SI8413DB-T1-E1
标记：8413 封装：2X2 4-MFP |
VISHAY | 225000 | 立即订购 |
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SSM3J15FV P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻 |
SSM3J15FV
标记：DQ 封装：SOT-723/VESM |
TOSHIBA | 317640 | 立即订购 |
