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TPCP8F01 PNP三极管+N沟道场效应管 PS-8 代码 8F01

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产品描述

 

三极管类型 Transistor Type  PNP 
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 -30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 -20V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 -3.0A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 200~500
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
 -0.19V
场效应管类型 MOSFET TYPF  N 沟道
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage
 20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage
 ±10V
最大漏极电流Id
Drain Current
 100MA/0.1A
源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance
  ID = 10 mA, VGS = 4.0 V RDS=1.5~3Ω
ID = 10 mA, VGS = 2.5 V RDS=2.2~4Ω
ID = 1 mA, VGS = 1.5 V  RDS=5.2~15Ω
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage
 0.6~1.1V
耗散功率Pd
Power Dissipation
 1W
描述与应用
Description & Applications
 硅PNP型外延晶体管、场效应晶体管硅N通道MOS型
  ○Swtching应用程序
  ○负荷开关应用
  ○Multi-chip分立器件;内置PNP晶体管
  主开关和N-ch MOS场效应晶体管驱动
  高直流电流增益:hFE = 200 - 500(IC =-0.5A)
  (PNP型晶体管)
  低饱和:VCE(坐)=-0.19 V(max)
  (PNP型晶体管)
  高速开关:tf = 40 ns(typ。)(PNP型晶体管)
 

 

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