| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|
|
NDS355N N沟道MOSFET 30V 1.6A SOT-23/SC-59 marking/标记 355 低电压应用 |
NDS355N
标记：355 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
|
|
NDS355AN N沟道MOSFET 30V 1.7A SOT-23/SC-59 marking/标记 355 低电压应用 |
NDS355AN
标记：355A 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 1244 | 立即订购 |
|
|
NDS352P P沟道MOS场效应管 -20V 850mA 0.46ohm SOT-23 marking/标记 352 |
NDS352P
标记：352 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 7500 | 立即订购 |
|
|
NDS352AP P沟道MOS场效应管 -30V 0.9A 0.45ohm SOT-23 marking/标记 352A |
NDS352AP
标记：352A 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 53900 | 立即订购 |
|
|
NDS351N N沟道MOSFET 30V 1.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 351 低电压应用 |
NDS351N
标记：351 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 190 | 立即订购 |
|
|
NDS351AN N沟道MOSFET 30V 1.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 351A 高密度电池设计/良好导通电阻/最大DC电流能力 |
NDS351AN
标记：351A 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
|
|
NDS336P P沟道MOS场效应管 -30V 0.9A 0.45ohm SOT-23 marking/标记 336 |
NDS336P
标记：336 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 21500 | 立即订购 |
|
|
NDS335N N沟道MOSFET 20V 1.7A SOT-23/SC-59 marking/标记 335 高密度电池设计/良好导通电阻/最大DC电流能力 |
NDS335N
标记：335 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 7200 | 立即订购 |
|
|
NDS332P P沟道MOS场效应管 -20V -1A 0.035ohm SOT-23 marking/标记 332 低导通电阻 小型封装 4v驱动 |
NDS332P
标记：332 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 2560 | 立即订购 |
|
|
NDS331N N沟道MOSFET 20V 4.1A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 331 高密度电池设计 |
NDS331N
标记：331 封装：SOT-163/SOT23-6 |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
|
|
NDS0610 P沟道MOS场效应管 -60V 120mW/0.12A 1.0ohm SOT-23 marking/标记 610 小信号开关 低导通电阻 高饱和电流 |
NDS0610
标记：610 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 19250 | 立即订购 |
|
|
NDS0605 P沟道MOS场效应管 -30V 180mA 1.0ohm SOT-23 marking/标记 65D 内置栅极保护二极管 4.5V驱动 低导通电阻 |
NDS0605
标记：65D 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 60 | 立即订购 |
