| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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PHD3055E N沟道MOSFET 60V 10.3A TO-252/D-PAK marking/标记 PHD3055E 雪崩能量/桥电路中使用 |
PHD3055E
标记：PHD3055E 封装：TO-252/D-PAK |
NXP/PHILIPS | 2500 | 立即订购 |
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PHD101NQ03LT N沟道MOSFET 30V 75A TO-252/D-PAK marking/标记 101NQ 优良的热稳定性/宽带UHF/VHF示范放大器 |
PHD101NQ03LT
标记：101NQ 封装：TO-252/D-PAK |
NXP | 0 | 立即订购 |
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PH5330E N沟道MOSFET 30V 80A SOT-669 marking/标记 5330E 硅栅高速开关/低驱动 |
PH5330E
标记：5330E 封装：SOT-669 |
NXP/PHILIPS | 100 | 立即订购 |
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P45N02LD N沟道MOSFET 20V 45A TO-252/D-PAK marking/标记 P45N02LD 硅栅高速开关/低驱动 |
P45N02LD
标记：P45N02LD 封装：TO-252/D-PAK |
UTC | 300 | 立即订购 |
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P0903BDG N沟道MOSFET 20V 50A TO-252/D-PAK marking/标记 P0903BDG 硅栅高速开关/低驱动 |
P0903BDG
标记：P0903BDG 封装：TO-252/D-PAK |
NIKO-SEM | 980 | 立即订购 |
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P01N02LMB N沟道MOSFET 1.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 102B 硅栅高速开关/低驱动 |
P01N02LMB
标记：102B 封装：SOT-23/SC-59 |
NIKO-SEM | 600 | 立即订购 |
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P0110002P MESFET-N沟道 8V 300mA SOT-89 marking/标记 高频应用/漏极效率高 |
P0110002P
标记：02P 封装：SOT-89 |
SEI | 758 | 立即订购 |
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ON4640
标记：P2 封装：SOT-23 |
NXP/PHILIPS | 12990 | 立即订购 | |
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ON4476
标记：E14 封装：SOT-23 |
NXP/PHILIPS | 2300 | 立即订购 | |
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NUF2042XV6T1
标记：227 封装：SOT-563 |
ON | 0 | 立即订购 | |
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NUD3112LT4 N沟道MOSFET 14V 500mA/0.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 JW5 |
NUD3112LT4
标记：JW5 封装：SOT-23/SC-59 |
ON | 0 | 立即订购 |
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NUD3105LT1 N沟道MOSFET 6V 500mA/0.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 JW4 小功率损耗 |
NUD3105LT1
标记：JW4 封装：SOT-23/SC-59 |
ON | 3300 | 立即订购 |
