| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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PMV65XP P沟道MOS场效应管 -20V -4.3A 0.065ohm SOT-23 marking/标记 WM9 低开启电压 低导通电阻 |
PMV65XP
标记：WM9 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 200 | 立即订购 |
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PMV31XN N沟道MOSFET 20V 5.9A SOT-23/SC-59 marking/标记 WM4 低RDS/高饱和电流能力 |
PMV31XN
标记：WM4 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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PMV117EN N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 WM1 低RDS/高饱和电流能力 |
PMV117EN
标记：WM1 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 1800 | 立即订购 |
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PMN45EN N沟道MOSFET 30V 5.2A SOT-163/TSOP-6/SC-74 marking/标记 45 低导通电阻/高速开关/低阈值 |
PMN45EN
标记：45 封装：SOT-163/TSOP-6/SC-74 |
NXP/PHILIPS | 1150 | 立即订购 |
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PMGD8000LN 复合场效应管 30V 125mA/0.125A SOT-363/SC70-6 marking/标记 D8 电池管理 高速开关 |
PMGD8000LN
标记：D8 封装：SOT-363/SC70-6 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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PMF780SN N沟道MOSFET 60V 570mA/0.57A SOT-323/SC-70 marking/标记 F1 快速开关/低功率损耗/极低的RDS |
PMF780SN
标记：F1 封装：SOT-323/SC-70 |
NXP/PHILIPS | 1083000 | 立即订购 |
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PMF400UN N沟道MOSFET 30v 830mA/0.83A SOT-323/SC-70 marking/标记 F3 快速开关/低功率损耗/极低的RDS |
PMF400UN
标记：F3 封装：SOT-323/SC-70 |
NXP/PHILIPS | 100 | 立即订购 |
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PMF280UN N沟道MOSFET 20V 1.02A SOT-323/SC-70 marking/标记 快速开关/低功率损耗/极低的RDS |
PMF280UN
标记：F2 封装：SOT-323/SC-70 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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PMBFJ176 P沟道结型场效应管 30 V －2.0~－35.0mA SOT-23 marking/标记 W6S |
PMBFJ176
标记：W6S 封装：SOT-23/SC59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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PMBFJ113 P沟道结型场效应管 ±40 V 2 mA SOT-23 marking/标记 P13 高速开关/漏极和源极连接的互换性/在零电压/低导通电阻 |
PMBFJ113
标记：P13 封装：SOT-23/SC59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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PMBF4392 N沟道结型场效应管 40v 25~75mA SOT-23 marking/标记 P6K 低功耗斩波器或开关 |
PMBF4392
标记：P6K 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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PMBF4391 N沟道结型场效应管 40v 50~150mA SOT-23 marking/标记 6J 低功耗斩波器或开关 |
PMBF4391
标记：6J 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 9000 | 立即订购 |
