CPH6429-TL-E N沟道MOSFET 50V 2A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 ZF 高密度电池设计极低的RDS（ON）
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 50V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 10V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.22Ω/Ohm @1A,4mW |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.4-1.3V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 1.6W |
| Description & Applications | · Low ON-resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 2.5V drive. |
| 描述与应用 | •低导通电阻。 •超高速开关。 •2.5V驱动 |
| 规格书PDF |
