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SI1905DL 复合场效应管 -8V -570mA/-0.57A SOT-363/SC70-6 marking/标记 Q8

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-8V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-8V
最大漏极电流IdDrain Current-570mA/-0.57A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance1.2Ω@ VGS = -1.8V, ID = -200mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.45V
耗散功率PdPower Dissipation270mW/0.27W
Description & ApplicationsDual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
描述与应用双P沟道1.8-V(G-S)的MOSFET
规格书PDF
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