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SI2301DS P沟道MOS场效应管 -20V -2.3A 0.105ohm SOT-23 marking/标记 R1

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-2.3A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.105Ω @-2.8A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.45V
耗散功率PdPower Dissipation1.25W
Description & ApplicationsP-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
描述与应用P沟道1.25-W，2.5-V MOSFET
规格书PDF
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