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SI2303BDS P沟道MOS场效应管 -30V -1.4mA 0.150ohm SOT-23 marking/标记 L3

型号：SI2303BDS
标记/丝印/代码/打字：L3/A3
厂家：VISHAY
批号：06+rohs 05+NOPB
封装：SOT-23/SC-59
整包数量：3000
最小起批量：10
技术文档：

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产品描述

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流IdDrain Current	-1.4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.150Ω @-1.7A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-1--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation	750mW/0.75W
Description & Applications	P-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用	P沟道30-V（D-S）的MOSFET

规格书PDF

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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