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SI2302DS N沟道MOSFET 20V 2.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 R2 低导通电阻/低电压驱动

型号：SI2302DS
标记/丝印/代码/打字：A2
厂家：VISHAY
批号：05+ 05+NOPB300
封装：SOT-23/SC-59
整包数量：3000
最小起批量：10
技术文档：

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产品描述

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	8V
最大漏极电流Id Drain Current	2.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.115Ω/Ohm @3.1A,2.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.65V
耗散功率Pd Power Dissipation	1.25W
Description & Applications	N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
描述与应用	N沟道1.25-W， 2.5 V MOSFET

规格书PDF

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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