SI2303DS P沟道MOS场效应管 -30V -1.7A 0.190ohm SOT-23 marking/标记 A3|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

免费注册|请登录

简体|繁体|English|网站地图

当前位置：首页 > 现货库存 > 商品详情

SI2303DS P沟道MOS场效应管 -30V -1.7A 0.190ohm SOT-23 marking/标记 A3

型号：SI2303DS
标记/丝印/代码/打字：A3/R3
厂家：VISHAY
批号：05+ 05+
封装：SOT-23/SC-59
整包数量：3000
最小起批量：10
技术文档：

热销商品

产品描述

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流IdDrain Current	-1.7A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.190Ω @-1.7A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-1
耗散功率PdPower Dissipation	1.25W
Description & Applications	P-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用	P沟道30-V（D-S）的MOSFET

规格书PDF

相关型号列表

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
SI2304BDS-T1-E3 N沟道MOSFET 30V 3.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 L4 低导通电阻/低电压驱动	SI2304BDS-T1-E3 标记：L4 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：5 05+NOPB300	2350 10起订
SI2304BDT1-E3 N沟道MOSFET 30V 3.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 4V 低导通电阻/低电压驱动/高速开关	SI2304BDT1-E3 标记：4V 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：05+	0 10起订
SI2304DS N沟道MOSFET 30V 1.7A SOT-23/SC-59 marking/标记 A4 低导通电阻/低电压驱动/高速开关	SI2304DS 标记：A4 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：05+ 05+NOPB2K	16000 10起订
SI2304DS N沟道MOSFET 30V 1.7A SOT-23/SC-59 marking/标记 P2S 低导通电阻/低电压驱动/高速开关	SI2304DS 标记：P2S/P25 封装：SOT-23/SC-59	NXP/PHILIPS	批号：05+	690 10起订
SI2305DS P沟道MOS场效应管 -8V -3.5A 0.044ohm SOT-23 marking/标记 A5	SI2305DS 标记：A5/R5 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：05+NOPB100 4* 环保的205个，没环保的76+244+55+700+395+268 2020-3-3D	943 10起订
SI2306DS N沟道MOSFET 30V 3.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 A6 低导通电阻	SI2306DS 标记：A6 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：05+ 06+2500pcsrohs	600 10起订
SI2306DS N沟道MOSFET 30V 3.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 R6低导通电阻	SI2306DS 标记：R6 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：04+	150 10起订

微信扫描关注我们

商城移动版

关于我们: 商城介绍
 联系我们
 营业执照

购物指南: 如何注册
 购买流程
 免责声明

配送方式: 上门自提
 运费说明
 物流追踪查询

支付方式: 支付宝
 银行转账
 货到付款

服务&售后: 原装正品
 技术支持
 退换货政策

备案/许可证号：粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有并保留所有权利

客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00