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SI1499DH-T1-E3 P沟道MOS场效应管 -8V -1.6A 0.0622ohm SOT-363 marking/标记 BI 功率MOSFET 超低导通电阻

型号：SI1499DH-T1-E3
标记/丝印/代码/打字：BI
厂家：VISHAY
批号：08NOPB 08NOPB
封装：SOT-363/SC70-6
整包数量：3000
最小起批量：10
技术文档：

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产品描述

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-8V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	5V
最大漏极电流IdDrain Current	-1.6A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.0622Ω @-2A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-0.35--0.8V
耗散功率PdPower Dissipation	2.78W
Description & Applications	FEATURES • TrenchFET Power MOSFET • Ultra-Low On-Resistance
描述与应用	功率MOSFET •超低导通电阻

规格书PDF

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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