| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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2SK613-4 N沟道结型场效应管 15v 27.4~42mA SOT-23 marking/标记 U4 |
2SK613-4
标记：U4 封装：SOT-23/SC-59 |
MITSUBISHI | 48650 | 立即订购 |
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SI3473CDV P沟道MOS场效应管 -12V -8A 36毫欧 SOT-163 marking/标记 AR 功率MOS管 负载开关 PA开关 |
SI3473CDV
标记：AR 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP6 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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CPH6424-TL-E N沟道MOSFET 60V 3A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 ZA 高密度电池设计极低的RDS（ON） |
CPH6424-TL-E
标记：ZA 封装：SOT-163/SOT23-6/CPH6 |
SANYO | 12950 | 立即订购 |
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RTQ025P02 P沟道MOS场效应管 -20V 2.5A 0.072ohm SOT-163 marking/标记 TQ 低导通电阻 高速开关 低电压驱动 |
RTQ025P02
标记：TQ 封装：SOT-163/SOT23-6/TSMT6 |
ROHM | 8145 | 立即订购 |
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TF202E4-TL N沟道结型场效应管 20v 0.14~0.24mA sot-723 marking/标记 E4 驻极体麦克风 |
TF202E4-TL
标记：E4 封装：sot-623/SSFP |
SANYO | 10000 | 立即订购 |
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SSM3K116TU N沟道MOSFET 30V 2.2A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 KK9 |
SSM3K116TU
标记：KK9 封装：SOT-323/SC-70/USM |
TOSHIBA | 314100 | 立即订购 |
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RTU002P02 P沟道MOS场效应管 -20V 250mA 1.0ohm SOT-323 marking/标记 TW 低导通电阻 低电压驱动 |
RTU002P02
标记：TW 封装：SOT-323/SC70/UMT3 |
ROHM | 6380 | 立即订购 |
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CPH6324 复合场效应管 -60V -2A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 YA 超高速开关 4V驱动 |
CPH6324
标记：YA 封装：SOT-163/SOT23-6/CPH6 |
SANYO | 0 | 立即订购 |
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MCH3333 P沟道MOS场效应管 -30V -1.5A 0.215ohm SOT-323 marking/标记 YJ 低导通电阻 超高速开关 2.5V驱动 |
MCH3333
标记：YJ 封装：SOT-323/SC70/MCP |
SANYO | 4768 | 立即订购 |
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SI2303CDS P沟道MOS场效应管 -30V -2.7A 0.156ohm SOT-23 marking/标记 N3 |
SI2303CDS
标记：N3 封装：SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 1990 | 立即订购 |
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2SK974STR N沟道MOSFET 60V 3A TO-252/D-PAK marking/标记 K974 高速开关/低导通电阻/低驱动电流 |
2SK974STR
标记：K974 封装：TO-252/D-PAK |
RENESAS | 0 | 立即订购 |
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TPCF8B01 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -20V -2.7A 1A 0.46V 1206-8/vs-8 marking/标记 F8A 低漏源导通电阻/低漏电流/低正向电压 |
TPCF8B01
标记：F8A 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8 |
TOSHIBA | 13600 | 立即订购 |
