我的订单
2520件相关商品 当前位置:首页 >现货库存> 场效应管
类目:
其它 MESFET-N沟道 MOSFET-P沟道 复合场效应管 结型(JFET)-N沟道 结型(JFET)-P沟道 MOSFET-N沟道
商品图片 商品描述 型号 厂牌 库存数量 操作
SSM3K36MFV N沟道MOSFET 20V 500mA/0.5A SOT-723/VESM marking/标记 NX SSM3K36MFV
标记:NX
封装:SOT-723/VESM
TOSHIBA 576000 立即订购
DMP2160U-7 P-沟道增强型场效应管 -20V -3,.3A SOT23 代码 DMF 低输入电容电源管理 DMP2160U-7
标记:DMF
封装:SOT-23
DIODES 188935 立即订购
BF511 N沟道结型场效应管 20v 2.5~7mA SOT-23 marking/标记 S7W 射频 BF511
标记:S7W
封装:SOT-23/SC-59
NXP/PHILIPS 3000 立即订购
2N7002MTF N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 702 更低的RDS/改进电感耐用性/快速开关/输入电容/改进高温可靠性 2N7002MTF
标记:702
封装:SOT-23/SC-59
FAIRCHILD 0 立即订购
MCH3443-TL-E N沟道MOSFET 30V 1.5A SOT-323/SC-70 marking/标记 ZU 超低导通电阻 MCH3443-TL-E
标记:ZU
封装:SOT-323/SC-70
SANYO 12121 立即订购
MMBFJ310LT1G N沟道结型场效应管 25v 24~60mA SOT-23 marking/标记 6T 射频放大器 MMBFJ310LT1G
标记:6T
封装:SOT-23/SC-59
ON 0 立即订购
SST176-T1 P沟道结型场效应管 30 V -2.0~-35.0mA SOT-23 marking/标记 S6 高速开关/漏极和源极连接的互换性/在零电压/低导通电阻 SST176-T1
标记:S6
封装:SOT-23/SC59
SILICONIX 500 立即订购
IRLR014TRLPBF N沟道MOSFET 60V 7.7A TO-252/D-PAK marking/标记 LR014 低导通电阻 IRLR014TRLPBF
标记:LR014
封装:TO-252/D-PAK
VISHAY 3000 立即订购
2SK3230B N沟道结型场效应管 20v 0.21~0.35mA SOT-523 marking/标记 CH radio 和电话 2SK3230B
标记:CH
封装:SOT-523/SC-75/USM
NEC 0 立即订购
FDS6692 N沟道MOSFET 30V 12A 8-SOIC marking/标记 FDS6692 低漏源导通电阻 FDS6692
标记:FDS6692
封装:8-SOIC
FAIRCHILD 20 立即订购
RDS035L03 复合场效应管 30V 3.5A SOP-8 marking/标记 RDS035L03 开关应用 RDS035L03
标记:RDS035L03
封装:SOP-8
ROHM 50 立即订购
FDS6680A N沟道MOSFET 30V 12.5A 8-SOIC marking/标记 低漏源导通电阻 FDS6680A
标记:
封装:8-SOIC
FAIRCHILD 14 立即订购
总数:2520

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00