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SI8424DB-T1-E1 N沟道MOSFET 8V 12.2A 2X2 4-MFP marking/标记 8424 低导通电阻/低电压驱动

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage8V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage5V
最大漏极电流Id Drain Current12.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.031Ω/Ohm @1A,4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.35-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation6.25W
Description & ApplicationsN-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET Power MOSFET • Industry First 1.2 V Rated MOSFET • Ultra Small MICRO FOOTChipscale Packaging Reduces Footprint Area, Profile (0.62 mm) and On-Resistance Per Footprint Area
描述与应用1.2-V的N沟道MOSFET(G-S) •TrenchFET功率MOSFET •业界首款1.2 V额定MOSFET •超小型MICRO FOOT 芯片级 包装减少占位面积,简介 (0.62毫米),每占位面积导通电阻
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