| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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FSS102-TL 复合场效应管 -30V -5A SOP-8 marking/标记 S102 DC/DC转换 超高速开关 4V驱动 |
FSS102-TL
标记:S102 封装:SOP-8 |
SANYO | 180 | 立即订购 |
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FS70VS-06-T11 N沟道MOSFET 60V 7A TO-263 marking/标记 FS70VS06 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FS70VS-06-T11
标记:FS70VS06 封装:TO-263 |
FUJI | 50 | 立即订购 |
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FS30AS-06-T13 N沟道MOSFET 60V 3A TO-252/D-PAK marking/标记 FS30 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FS30AS-06-T13
标记:FS30 封装:TO-252/D-PAK |
FUJI | 0 | 立即订购 |
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FQD3P20TF P沟道MOS场效应管 -200V -1.52A 2.06ohm SOT-252 marking/标记 3P20 快速开关 |
FQD3P20TF
标记:3P20 封装:TO-252/DPAK |
FAIRCHILD | 200 | 立即订购 |
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FQD19N10TM N沟道MOSFET 10V 15.6A TO-252/D-PAK marking/标记 FQD19N10 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FQD19N10TM
标记:FQD19N10 封装:TO-252/D-PAK |
FAIRCHILD | 100 | 立即订购 |
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FQD13N06LTM N沟道MOSFET 60V 11mA TO-252/D-PAK marking/标记 13N06L 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FQD13N06LTM
标记:13N06L 封装:TO-252/D-PAK |
FAIRCHILD | 400 | 立即订购 |
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FQD10N20LTF N沟道MOSFET 200V 7.6A TO-252/D-PAK marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FQD10N20LTF
标记: 封装:TO-252/D-PAK |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
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FKV660S N沟道MOSFET 6A TO-263 marking/标记 FKV660S 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FKV660S
标记:FKV660S 封装:TO-263 |
SANKEN | 500 | 立即订购 |
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FJZ594JTF N沟道MOSFET 1A SOT-323/SC-70 marking/标记 JT 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FJZ594JTF
标记:JT 封装:SOT-323/SC-70 |
FAIRCHILD | 400 | 立即订购 |
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FJZ594JCTF N沟道结型场效应管 20v 0.21~0.35mA SOT-523 marking/标记 J1C radio |
FJZ594JCTF
标记:J1C 封装:SOT-523 |
FAIRCHILD | 151200 | 立即订购 |
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FJZ594JBTF N沟道MOSFET 1A SOT-323/SC-70 marking/标记 J1B 电池保护/低栅极电荷/高速开关 |
FJZ594JBTF
标记:J1B 封装:SOT-323/SC-70 |
FAIRCHILD | 22499 | 立即订购 |
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FJX597JHTF N沟道MOSFET 1A SOT-323/SC-70 marking/标记 SCH 电池保护/低栅极电荷/高速开关 |
FJX597JHTF
标记:SCH 封装:SOT-323/SC-70 |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
