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RTL030P02 P沟道MOS场效应管 -20V 3A 0.050ohm SOT-363 marking/标记 WN 低导通电阻 超高速开关 低驱动电压

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-3A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.050Ω @-3A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.7--2.0V
耗散功率PdPower Dissipation1W
Description & ApplicationsFeatures Low on-resistance. (570mΩ at 2.5V) High power package. High speed switching. Low voltage drive. (2.5V)
描述与应用低导通电阻。 （570mΩ在2.5V） 高功率封装。 高速开关。 低电压驱动
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