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SI1417DH P沟道MOS场效应管 -12V -2.7A 160毫欧 SOT-363 marking/标记 BDE 负载开关 ESD保护

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-12V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-12V
最大漏极电流IdDrain Current-2.7A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance160mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -1A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.45V
耗散功率PdPower Dissipation1W
Description & ApplicationsP-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES Thermally Enhanced SC-70 Package ESD Protected: 3000 V APPLICATIONS Load Switching PA Switch Level Switch
描述与应用P沟道12-V(D-S)的MOSFET 特点 耐热增强型SC-70封装 ESD保护:3000 V 应用 负载开关 PA开关 液位开关
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