商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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SI2304BDT1-E3 N沟道MOSFET 30V 3.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 4V 低导通电阻/低电压驱动/高速开关 |
SI2304BDT1-E3
标记:4V 封装:SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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SI2304BDS-T1-E3 N沟道MOSFET 30V 3.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 L4 低导通电阻/低电压驱动 |
SI2304BDS-T1-E3
标记:L4 封装:SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 2350 | 立即订购 |
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SI2303DS P沟道MOS场效应管 -30V -1.7A 0.190ohm SOT-23 marking/标记 A3 |
SI2303DS
标记:A3/R3 封装:SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 17940 | 立即订购 |
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SI2303BDS P沟道MOS场效应管 -30V -1.4mA 0.150ohm SOT-23 marking/标记 L3 |
SI2303BDS
标记:L3/A3 封装:SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 640 | 立即订购 |
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SI2303ADS P沟道MOS场效应管 -30V -1.4mA 0.120ohm SOT-23 marking/标记 3A |
SI2303ADS
标记:3A 封装:SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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SI2302DS N沟道MOSFET 20V 2.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 A2 低导通电阻/低电压驱动 |
SI2302DS
标记:R2 封装:SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 700 | 立即订购 |
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SI2302DS N沟道MOSFET 20V 2.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 R2 低导通电阻/低电压驱动 |
SI2302DS
标记:A2 封装:SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 2000 | 立即订购 |
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SI2301DS P沟道MOS场效应管 -20V -2.3A 0.105ohm SOT-23 marking/标记 R1 |
SI2301DS
标记:R1 封装:SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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SI2301BDS P沟道MOS场效应管 -20V -2.4A 0.080ohm SOT-23 marking/标记 L1 |
SI2301BDS
标记:L1 封装:SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 13600 | 立即订购 |
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SI1905DL 复合场效应管 -8V -570mA/-0.57A SOT-363/SC70-6 marking/标记 Q8 |
SI1905DL
标记:Q8 封装:SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 52855 | 立即订购 |
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SI1902DL-T1-E3 复合场效应管 20V 660mA/0.66A SOT-363/SC70-6 marking/标记 PAB |
SI1902DL-T1-E3
标记:PAB 封装:SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 3000 | 立即订购 |
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SI1553DL 复合场效应管 20V/-20V 660mA/-410mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 RAY |
SI1553DL
标记:RAY 封装:SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 4700 | 立即订购 |