| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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2SJ364-Q P沟道结型场效应管 65 V －1.0~－3.0mA SOT-323 marking/标记 4MQ 低导通电阻/低噪声 |
2SJ364-Q
标记：4MQ 封装：SOT-323/SC70 |
Panasonic | 0 | 立即订购 |
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2SK3614 N沟道MOSFET 60V 4A SOT-89 marking/标记 LK 高速开关/低导通电阻/4V驱动 |
2SK3614
标记：LK 封装：SOT-89/SC-62/PCP |
SANYO | 0 | 立即订购 |
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2SK321-R N沟道结型场效应管 15v 20~32mA SOT-23 marking/标记 1FR |
2SK321-R
标记：1FR 封装：SOT-23/SC-59 |
Panasonic | 550 | 立即订购 |
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2SK3663 N沟道MOSFET 20V 500mA/0.5A SOT-323/SC-70 marking/标记 G26 低导通电阻 |
2SK3663
标记：G26 封装：SOT-323/SC-70 |
NEC | 1100 | 立即订购 |
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2SJ364-R P沟道结型场效应管 65 V －2.5~－6.0mA SOT-323 marking/标记 4MR 低导通电阻/低噪声 |
2SJ364-R
标记：4MR 封装：SOT-323/SC70 |
Panasonic | 0 | 立即订购 |
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FDN359AN N沟道MOSFET 30V 2.7A SOT-23/SC-59 marking/标记 359 低导通电阻/超高速开关/2V驱动器 |
FDN359AN
标记：359 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 3950 | 立即订购 |
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INK0001AC1 N沟道MOSFET 50V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 K1 极低的RDS/低栅极电荷 |
INK0001AC1
标记：K1 封装：SOT-23/SC-59 |
MITSUBISHI | 15400 | 立即订购 |
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FDN357N N沟道MOSFET 30V 1.9A SOT-23/SC-59 marking/标记 357 低导通电阻/超高速开关/2V驱动器 |
FDN357N
标记：357 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
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BF909 N沟道MOSFET 7V 40mA SOT-143 marking/标记 WM3 低噪声增益控制放大器 |
BF909
标记：M28 封装：SOT-143 |
NXP/PHILIPS | 13000 | 立即订购 |
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2SK1646 MESFET-N沟道 6V 30mA-50mA -0.5V -- -5V SOT-143 marking/标记 1W4 高频应用/C X-波段本地振荡器和放大器 |
2SK1646
标记：IW4 封装：SOT-143/CP4 |
SANYO | 23800 | 立即订购 |
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3SK127 N沟道MOSFET 15V 30mA SOT-143/SOT-24/SC-61 marking/标记 UE 高级交叉调制性能/低反向传输电容/低噪声增益控制放大器系数 |
3SK127
标记：UD 封装：SOT-143/SOT-24/SC-61 |
TOSHIBA | 20490 | 立即订购 |
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NTR0202PLT1 P沟道MOS场效应管 -20V -400mA 0.55ohm SOT-23 marking/标记 PL 高效率 低导通电阻 |
NTR0202PLT1
标记：PL 封装：SOT-23/SC-59 |
ON | 4500 | 立即订购 |
