| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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US6M2 复合场效应管 30V/-20V 1.5A/1.0A SOT-363/SC70-6/UMT6 marking/标记 M02 高速开关 2.5V驱动 |
US6M2
标记：M02 封装：SOT-363/SC70-6/UMT6 |
ROHM | 0 | 立即订购 |
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WPM2301-3/TR P沟道MOS场效应管 -20V -2A 0.055ohm SOT-23 marking/标记 WT1 超高速开关 低导通电阻 |
WPM2301-3/TR
标记：WT1 封装：SOT-23/SC-59 |
SEM | 300 | 立即订购 |
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HAT2204C n沟道场效应管 12V 3.5A SOT363 代码 VU 低导通电阻 低驱动电流 |
HAT2204C
标记：VU 封装：SOT-363 |
RENESAS | 2800 | 立即订购 |
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2N7002K N沟道MOSFET 60V 340mA/0.34A SOT-23/SC-59 marking/标记 K72 逻辑电平兼容/高速开关 |
2N7002K
标记：K72 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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KTK5132S N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 KB 高频DC/DC转换器/良好的热电阻 |
KTK5132S
标记：KB 封装：SOT-23/SC-59 |
KEC | 2600 | 立即订购 |
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2SK932-23 N沟道结型场效应管 15v 10~17mA SOT-23 marking/标记 E23 低噪声放大器 |
2SK932-23
标记：E23 封装：SOT-23/SC-59/CP |
SANYO | 0 | 立即订购 |
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FDG6313N 复合场效应管 25V 500mA/0.5A SOT-363/SC70-6 marking/标记 33h |
FDG6313N
标记：33h 封装：SOT-363/SC70-6 |
FAIRCHILD | 3000 | 立即订购 |
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SSM3K7002FU N沟道MOSFET 60V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 NC 增强模式/逻辑电平 |
SSM3K7002FU
标记：NC 封装：SOT-23/SC-59 |
TOSHIBA | 14000 | 立即订购 |
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2SJ133-Z-E1 P沟道MOS功率场效应管 -60V 2A 0.45ohm SOT-252 marking/标记 J133 用作开关 |
2SJ133-Z-E1
标记：J133 封装：TO-252/DPAK |
NEC | 2000 | 立即订购 |
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2SJ506STR P沟道MOS场效应管 -30V -10A 0.065ohm SOT-252 marking/标记 J506 高速开关 低驱动电流 |
2SJ506STR
标记：J506 封装：TO-252/DPAK |
HITACHI | 0 | 立即订购 |
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2SK662 N沟道结型场效应管 30v 4~12mA SOT-323 marking/标记 10R 低频放大 |
2SK662
标记：10R 封装：SOT-323/SC70 |
Panasonic | 6050 | 立即订购 |
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2SK2788VY90TR N沟道MOSFET 60V 2A SOT-89 marking/标记 VY 低驱动电流/开关速度/低导通电阻 |
2SK2788VY90TR
标记：VY 封装：SOT-89/UPAK |
RENESAS | 0 | 立即订购 |
