| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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FDB7045L N沟道场效应管 30V 100A TO263AB 代码 FDB7045L |
FDB7045L
标记：FDB7045L 封装：TO-263AB |
FAIRCHILD | 200 | 立即订购 |
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FDB7030BLS N沟道场效应管 30v 56A TO263AB 代码 FDB7030BL |
FDB7030BLS
标记：FDB7030BL 封装：TO-263AB |
FAIRCHILD | 150 | 立即订购 |
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AP70T03H N沟道MOSFET 30V 60A TO-252/D-PAK marking/标记 70T03H 低导通电阻/用于低配置应用程序 |
AP70T03H
标记：70T03H 封装：TO-252/D-PAK |
Advanced Power | 500 | 立即订购 |
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PH3230S n沟道增强型场效应功率晶体管 30V 100A SOT669 代码 3230s 低闸极电荷 |
PH3230S
标记：3230S 封装：SOT-669 |
NXP/PHILIPS | 130 | 立即订购 |
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BST80
标记：KM 封装：SOT-89 |
PHILIPS | 850 | 立即订购 | |
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TF218TH-A5 N沟道结型场效应管 -20V 1MA SOT623 代码 A5 驻极体电容式传声器的音频设备和电话 |
TF218TH-A5
标记：A5 封装：sot-623 |
SANYO | 24000 | 立即订购 |
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TPC6107 P沟道场效应管 -20V -4.5A SOT163 代码 S3G 低漏源导通电阻 增强模式 |
TPC6107
标记：S3G 封装：SOT-163/SOT23-6/VS-6 |
TOSHIBA | 135000 | 立即订购 |
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TPCP8006 N沟道场效应管 20V 9.1A PS-8 代码 8006 低漏源极导通电阻 低漏电流 |
TPCP8006
标记：8006 封装：PS-8 |
TOSHIBA | 105000 | 立即订购 |
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HB2301W P 沟道场效应管 20V 1.8A SOT323 代码 JJ1 1.8 v驱动 低导通电阻 |
HB2301W
标记：JJ1 封装：SOT-323F |
爱瑞凯 | 500 | 立即订购 |
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HB3401T
标记： 封装：SOT-523 |
爱瑞凯 | 12000 | 立即订购 | |
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HB3402T
标记： 封装：SOT-523 |
爱瑞凯 | 12000 | 立即订购 | |
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HB3401W PMOS 20V 4A SOT323 代码 JJB 超低内阻 超小封装 电源应用 |
HB3401W
标记：JJB 封装：SOT-323F |
爱瑞凯 | 12000 | 立即订购 |
