| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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CEA9435A
标记：9435A 封装：SOT-89 |
CET | 600 | 立即订购 | |
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BF996S
标记：MH 封装：SOT-143 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 | |
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CFB0303-0000 高动态范围，低噪声的GaAs FET 十字架 SO86/SOT-173XVAR |
CFB0303-0000
标记： 封装：十字架 SO86/SOT-173XVAR |
M/A-COM | 0 | 立即订购 |
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CFB0301-000T 高动态范围低噪声的GaAs FET SO86 十字架 |
CFB0301-000T
标记： 封装：SO86/SOT-173XVAR |
M/A-COM | 541 | 立即订购 |
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CEA1592
标记：1592 封装：SOT-89 |
CET | 200 | 立即订购 | |
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CEA2401
标记：2401 封装：SOT-89 |
CET | 500 | 立即订购 | |
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2SK33720TL n沟道结型场效应管 sot-923 标记 1H 低频率阻抗变换/高互导GM/低噪声增益控制放大器电压的NV |
2SK33720TL
标记：1H 封装：SOT-923 |
PANASONIC | 379950 | 立即订购 |
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HB6N0130FE 复合MOS管 双N沟道 30V 100mA SOT-563F 特价 |
HB6N0130FE
标记： 封装：SOT-563F |
爱瑞凯 | 4000 | 立即订购 |
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HB6N0530TU 复合场效应管 双N沟道 30V 500mA SOT-363F 华半特价 |
HB6N0530TU
标记： 封装：SOT-363F |
爱瑞凯 | 120000 | 立即订购 |
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CES2324 n沟道增强型场效应晶体管 20V 4.2A SOT23 代码 248R |
CES2324
标记：248R 封装：SOT-23/SC-59 |
CET | 12000 | 立即订购 |
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2SK2845 N沟道场效应管 900V 1A TO252 代码 K2845 增强模式 |
2SK2845
标记：K2845 封装：TO-252 |
TOSHIBA | 4000 | 立即订购 |
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TTK101MFV-B N沟道结型场效应管 SOT723 |
TTK101MFV-B
标记：12 封装：SOT-723/VESM |
TOSHIBA | 24000 | 立即订购 |
