| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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N沟道MOS场效应管 -20V 180mA 1.5ohm SOT-723 marking/标记 K2 高速开关 模拟开关 1.2V驱动 低导通电阻 |
HB18N20FE
标记：K2 封装：SOT-723 |
爱瑞凯 | 479400 | 立即订购 |
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SSM3J306T P沟道MOS场效应管 -30V -2.4A 225MΩ SOT-23 marking/标记 JJ9 电源管理开关 高速开关 4V驱动 低导通电阻 |
SSM3J306T
标记：JJ9 封装：SOT-23/SC-59 |
TOSHIBA | 747000 | 立即订购 |
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SSM3K7002BF 晶体管 - FET，MOSFET - 单 MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI |
SSM3K7002BF
标记：NM 封装：SOT-23/SC-59 |
TOSHIBA | 95700 | 立即订购 |
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SSM3J307T 晶体管 - FET，MOSFET - 单 MOSFET P-CH 20V 5A TSM |
SSM3J307T
标记：KDP 封装：SOT-23/SC-59 |
TOSHIBA | 27000 | 立即订购 |
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SSM3J15FU 晶体管 - FET，MOSFET - 单 MOSFET P-CH 30V 0.1A USM |
SSM3J15FU
标记：DQ 封装：SOT-323/SC70/UFM |
TOSHIBA | 54000 | 立即订购 |
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DMP21D0UT-7 P沟道MOSFET -20V -0.59A SOT-523 MARKING/标记 PBC |
DMP21D0UT-7
标记：PBCYN 封装：SOT-523 |
ZETEX/DIODES | 35980 | 立即订购 |
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DMN3033LDM-7N 沟道增强型MOSFET 30V 6.9A SOT-163/SM6/SOT-26 标记 NA5 |
DMN3033LDM-7
标记：NA5 封装：SOT-163/SM6/SOT-26 |
DIODES | 45000 | 立即订购 |
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DMN66D0LDW-7 双N沟道增强型场效应 60V 115MA SOT-363/SC70-6 标记 MN1ZN |
DMN66D0LDW-7
标记：MN1ZN 封装：SOT-363/SC70-6 |
DIODES | 36000 | 立即订购 |
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DMN5L06DWK-7 双N沟道增强mosfet 50V 308MA SOT-363/SC70-6 标记 DABZ4 |
DMN5L06DWK-7
标记：DABZ4 封装：SOT-363/SC70-6 |
DIODES | 0 | 立即订购 |
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DMP2066LSN-7 p沟道增强型MOSFET 20V 4.6A SOT-23/SC-59 标记 PS4 |
DMP2066LSN-7
标记：PS4 封装：SOT-23/SC-59 |
DIODES | 3000 | 立即订购 |
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CHT84PT P沟道场效应管 -50v -0.13A SOT23 代码 ZT |
CHT84PT
标记：ZT 封装：SOT-23/SC-59 |
台产 | 0 | 立即订购 |
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2SK1109
标记：J35 封装：SC59 |
NEC | 0 | 立即订购 |
