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SSM6K403TU N沟道MOSFET 20V 4.2A SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88/US6 marking/标记 KND 低导通电阻/高速开关/低门槛/低栅极驱动器

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current4.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance28mΩ@ VGS = 4.0V, ID = 3A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.35~1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS MOS ○ Power Management Switch Applications ○ High-Speed Switching Applications • 1.5V drive • Low ON-resistance:Ron = 66mΩ (max) (@VGS = 1.5V) Ron = 43mΩ (max) (@VGS = 1.8V) Ron = 32mΩ (max) (@VGS = 2.5V) Ron = 28mΩ (max) (@VGS = 4.0V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS MOS ○电源管理开关应用 ○高速开关应用 •1.5V驱动 •低导通电阻:RON =66mΩ(最大)(@ VGS=1.5V) RON =43MΩ(最大)(@ VGS=1.8V) RON =32MΩ(最大)(@ VGS= 2.5V) RON =28mΩ(最大值)(@ VGS=4.0V)
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