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2N7002DW 复合场效应管 60 115mA/0.115A SOT-363/SC70-6 marking/标记 702 快速开关 双N沟道

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current115mA/0.115A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance2.53Ω@ VGS = 10V,ID = 0.5A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage1~2V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free/RoHS Compliant
描述与应用N沟道增强型场效应晶体管 特点 •双N沟道MOSFET •低导通电阻 •低栅极阈值电压 •低输入电容 •开关速度快 •低输入/输出漏 •超小型表面贴装封装 •无铅/ RoHS标准
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