TPC8303 双P沟道场效应管 -30V -4.5A SM8 代码 TPC8303 增强模式 低漏电流
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
±20 V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
-4.5A |
| 源漏极导通电阻Rds(on) FET Drain-Source On-State Resistance |
VGS = −4 V, ID = −2.2 A RDS=55~65mΩ
VGS = −10 V, ID = −2.2 A RDS=27~35mΩ
|
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
−0.8~ −2.0 V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation |
0.75W |
| 描述与应用 Description & Applications |
东芝硅P沟道MOS场效应晶体管类型(U?MOSII)
锂离子电池应用
便携式设备的应用程序
笔记本电脑
低消耗源电阻:RDS()= 27 mΩ(typ)。
高向前转移导纳:| yf | = 7 S(typ)。
低漏电流:ids=-10μA(max)(VDS =-30 V)
增强模式:Vth =-0.8 ~-2.0 V(VDS =?10 V,ID =?1 mA)
|
| 技术文档PDF下载 | 在线阅读 |
| 规格书PDF |
