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TPCP8002 N沟道MOSFET 20V 9.1A PS-8 marking/标记 8002 低导通电阻/高速开关/低门槛/低栅极驱动器

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current9.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance10mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 4.5A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.5~1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation840mW/0.84W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS IV) Notebook PC Applications Portable Equipment Applications • Small footprint due to small and thin package • Low drain-source ON-resistance : RDS (ON) = 7 mΩ (typ.) • High forward transfer admittance :|Yfs| = 36 S (typ.) • Low leakage current : IDSS = 10 μA (VDS = 20 V) • Enhancement mode : Vth = 0.5 to 1.2 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型(U-MOS IV) 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 •由于占地面积小,小而薄的包装 •低漏源导通电阻 :RDS(ON)= 7mΩ(典型值) •高正向转移导纳 :| YFS|= 36 S(典型值) •低漏电流 IDSS=10μA(VDS=20 V) •增强模式 :VTH =0.5〜1.2 V(VDS=10V,ID= 0.2毫安)
规格书PDF
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