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SI5435DC P沟道MOS场效应管 -30V -5.6A 0.042ohm Vth:-1.0V 1206-8 marking/标记 BE

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-5.6A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.042Ω @-4.1A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation2.5W
Description & ApplicationsP-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用P沟道30-V（D-S）的MOSFET
规格书PDF
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