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SI5903DC-T1-E3 复合场效应管 -20V -2.1A 1206-8/vs-8 marking/标记 DAFAA

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-12V
最大漏极电流IdDrain Current-2.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance260mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -1.7A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.6V
耗散功率PdPower Dissipation1.1W
Description & ApplicationsDual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
描述与应用双P沟道2.5-V(G-S)的MOSFET
规格书PDF
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